特許

J-GLOBAL ID：200903082762357030

光電子集積回路及びその製造方法

発明者： 古賀 和幸 ,  野村 康彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-280907
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125894
出願日： 1996年10月23日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 光出力の大きい発光素子を有し、且つ、集積化を行う上で素子性能の低下がない光電子集積回路(OEIC)、及び、その製造方法を提供する。【解決手段】 同一基板1上に発光素子3と、電子素子及び受光素子2のうち少なくとも一方とを集積してなるOEICであって、前記基板1、電子素子、及び、受光素子2が炭化珪素(SiC)からなり、前記発光素子3がGa(ガリウム)と窒素(N)を含むGaN系化合物半導体からなる。

請求項（抜粋）：

同一基板上に発光素子と、電子素子及び受光素子のうち少なくとも一方とを集積化してなる光電子集積回路であって、前記基板、電子素子、及び、受光素子がSiCからなり、前記発光素子がGa(ガリウム)とN(窒素)を含むGaN系化合物半導体からなることを特徴とする光電子集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/15 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 27/15 A ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-242985
  
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-053469   出願人：株式会社東芝
• SiC紫外線検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-232877   出願人：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-295433   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-242985