特許
J-GLOBAL ID：200903082773662543
ウェハーフォークおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-205293
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053303
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】不純物によるウェハーの汚染が少なく、またそり等の発生が少ない高強度で高寸法精度を有するウェハーフォークおよびその効率的な製造方法を提供する。【構成】半導体製造工程において半導体ウェハーを保持して順次搬送するウェハーフォーク1aであり、窒化けい素(Si3 N4 )およびサイアロン(Si-Al-O-N)の少なくとも一方のセラミックス材から成り、保持するウェハー8の周辺部と接触してウェハー8を所定位置に保持する周縁段部2と、上記ウェハー8と非接触で対向するように形成した凹部3とを形成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体製造工程において半導体ウェハーを保持して順次搬送するウェハーフォークであり、窒化けい素(Si3 N4 )およびサイアロン(Si-Al-O-N)の少くとも一方のセラミックス材から成り、保持するウェハーの周辺部と接触してウェハーを所定位置に保持する周縁段部と、上記ウェハーと非接触で対向するように形成した凹部とを形成したことを特徴とするウェハーフォーク。
IPC (2件)：
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