特許
J-GLOBAL ID：200903082776152805
ヘテロ層状光起電性フィルム
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-524633
公開番号（公開出願番号）：特表2000-515295
出願日： 1997年01月02日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】支柱がホスホネートまたはアルセネート(14)を各末端に有する2価の電子受容体部分(12)からなる、支持基材(2)上に配置される複数の支柱状金属錯体を有する多層組成物。平行な支柱の各層は、(IVA)、(IVB)、(IIIA)または(IIIB)族金属またはランタニドの層(18)によって分離される。組成物は錯体(16)の各層内に取り込まれるゼロ原子価の少なくとも1つのVIII族金属の粒子をさらに含んでいてもよい。また、この錯体に、各電子受容基周辺に一連の間隙を形成する支柱により点在する「鍾乳石」および「石筍」状のキャップドアルソナトまたはホスホナトリガンドを含ませてもよい。支持基材は有機ポリマー鋳型から構成されてもよい。錯体は、太陽エネルギーの変換及び貯蔵に、光電流の製造におよび還元反応、例えば、酸素及び水素ガスからの過酸化水素の製造、水からのH2ガスの製造、及びケトンの還元によるアルコールの形成用の触媒として有用である。
請求項（抜粋）：
以下よりなるヘテロ層状フィルムを表面上に有する支持基材からなる組成物からなる光起電装置:(i)複数の下記式の錯体:ただし、Lは、連結手段であり; Y1及びY2は、それぞれ互いに独立して、リンまたは砒素であり; Zは、安定した還元形態及び安定した酸化形態を可逆的に形成する二価の基であり; Xは、陰イオンであり; MeYは、MelnWmであり、この際、 Me1は、少なくとも21の原子番号を有するIII,IVA、若しくはIVB族の二価、三価、または四価の金属またはランタニドであり; Wは、陰イオンであり; nは、1、2、または3であり; mは、0、1、2、3、または4である; kは、1から約250までの値を有し; pは、0、1、2、または3の値を有し;および qは、Xに関する電荷であり、 Y1、Y2、Z、及びMe1は、それぞれ、各連続k層で異なってもよく; 各錯体は連結手段Lを介して基材に結合する。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
