特許
J-GLOBAL ID：200903082778256756
バイポーラトランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052258
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263461
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ベース層上に複数のエミッタ層を形成され、一のエミッタ層を介してベース層中の電子をベース電流の形で抜き取る構成のマルチエミッタHBTにおいて、ベース層から一のエミッタ層への電子のトンネリングの効率を向上させ、ベース抵抗を低減する。【構成】 ベース層14とエミッタ層16a,16bとの間に、電界が印加された場合に電子のトンネリングを促進する非ドープの薄い半導体層15a,15bを挿入し構成する。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する半導体材料よりなるコレクタ層と;前記コレクタ層上に形成された第2の導電型を有する半導体材料よりなるベース層と;前記ベース層上に形成され、前記ベース層上の第1の領域にキャリアを注入する第1のエミッタ手段と;前記ベース層上に形成され、前記ベース上の前記第1の領域から離間した第2の領域にキャリアを注入する第2のエミッタ手段とよりなるバイポーラトランジスタにおいて、少なくとも前記第2のエミッタ手段を構成する半導体層と前記ベース層を構成する半導体層との間に、非ドープ半導体層を挿入したことを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
