特許

J-GLOBAL ID：200903082782799055

窒素-3属元素化合物半導体発光素子

発明者： 真部 勝英 ,  小出 典克 ,  山崎 史郎 ,  田牧 真人
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316599
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151964
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】AlGaInN 発光ダイオードにおける発光輝度及び発光寿命の向上【構成】サファイア基板1に、順に、500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約2.2μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+層3、膜厚約 1.5μm、電子濃度1 ×1016/cm3のノンドープGaN から成る低キャリア濃度n層4、膜厚約0.5 μm、ホール濃度1 ×1016/cm3のMgドープGaN から成る低キャリア濃度p層51、膜厚約0.2 μm、ホール濃度 2×1017/cm3の高キャリア濃度p+ 層52が形成されている。n層、p層ともにpn接合面から遠ざかる方向にキャリア濃度がステップ増加する複層で構成され、低キャリア濃度n層4と低キャリア濃度p層51のキャリア濃度を略等しくした。この結果、発光輝度及び発光寿命の向上が見られた。

請求項（抜粋）：

n型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、p型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)からなるp層とを有する窒素-3属元素化合物半導体発光素子において、前記n層は、pn接合面から遠ざかるに連れて、電子濃度がステップ増加する複数のn型の層で形成され、前記p層は、pn接合面から遠ざかるに連れて、ホール濃度がステップ増加する複数のp型の層で形成され、pn接合を直接形成するp型の層及びn型の層は、キャリア濃度が略等しく形成されていることを特徴とする発光素子。