特許

J-GLOBAL ID：200903082782973764

p型半導体薄膜

発明者： 宮地 賢司 ,  芦田 芳徳 ,  柳川 紀行 ,  福田 信弘
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245737
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090156
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 非晶質太陽電池の高性能化のために、極薄膜状態で結晶性を有し、高キャリア密度のp型半導体薄膜を得る。【構成】 III 族元素化合物のガスを含む放電により生成するイオンを成長表面に照射しつつ薄膜を成膜する工程とイオン照射のみを行う工程とを繰り返し、かつ、その一回づつの繰り返しにおいて成膜される薄膜の厚みが1から100Åである全膜厚が 300Å以下のp型結晶性半導体薄膜。【効果】 本発明により、従来技術では不可能であった膜厚が 300Å以下で高キャリア密度の結晶性半導体薄膜の形成が可能となった。この薄膜を非晶質太陽電池のp層に適用することにより、光電変換効率を改善することができる。

請求項（抜粋）：

III 族元素化合物と非堆積性のガスの混合ガスを放電させて得られた荷電粒子を含む雰囲気で、シリコン系薄膜形成原料を供給してシリコン系薄膜形成を行う工程と、該シリコン系薄膜形成原料の供給を停止して、III 族元素化合物と非堆積性のガスの混合ガスを放電させて得られた荷電粒子を含む雰囲気に当該薄膜形成表面をさらす工程とを繰り返し、かつ、その一回の繰り返しにおいて形成されるシリコン系薄膜の厚みが1から 100Åである全膜厚が 300Å以下のp型結晶性半導体薄膜。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04