特許
J-GLOBAL ID：200903082791784966
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235333
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 切断加工時に飛散する微粒子から半導体基板を保護する保護膜の形成が可能であり、更にレーザーによる切断部分3に、除去困難な保護膜の変質物が残留することのない半導体素子の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上にフォトレジストを塗布し、次にこのフォトレジストをフォトマスクを用いて露光する。次に現像を行ってフォトレジストの露光部分に保護膜7を形成した後に、上記半導体基板の切断加工を行って半導体素子を製造する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にフォトレジストを塗布し、次に前記フォトレジストをフォトマスクを用いて露光し、更に現像を行って前記フォトレジストの露光部分に保護膜を形成した後に前記半導体基板の切断加工を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
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