低EMI多層回路基板、及びこれを用いた電子装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-097988
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283974
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】本発明は、例えばIC、LSI素子等のスイッチング時においてグランド層に対する電源層の電位変動をEMI対策部品を用いずジュ-ル熱に変換して不要輻射を抑制する回路基板で、多種電源を使用する場合特に層数を増加させずに電源層Vのベタパタ-ンまたは分割パタ-ンに対して効率的、効果的に低Q化を実現させることが課題である。【解決手段】本発明は、層数を増加させずに電源層Vのベタパタ-ンまたは複数の分割パタ-ンに対して効率的、効果的に低Q化を実現するため、ベタパタ-ンまたは複数の分割パタ-ンと、もう一つのグランド層G2との間で形成される層間浮遊容量C2(C2j)に対して、容量C2とインダクタンスL2に対する低Q化条件を満足させてチップ容量を並列接続したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電子部品と少なくとも一方が電気的に接続された第一及び第二のグランド層と、該第一のグランド層と該第二のグランド層との間に設けられる該電子部品と電気的に接続された電源層と、該第一のグランド層と該第二のグランド層の外側に配置された該電子部品を実装する第一の表面層と第二の表面層と、該各層間に配置された誘電体層と、該第一の表面層もしくは該第二の表面層に形成される、該第一のグランド層と該第二のグランド層と各々電気的に接続される抵抗体と、該第一の表面層もしくは該第二の表面層に形成される、該電源層と該第二のグランド層と各々電気的に接続される容量とを備えることにより不要輻射を抑制した基板となし、該基板を筺体に収容したことを特徴とする電子機器。

IPC (3件)：

H05K 9/00 , H05K 3/46 , H05K 1/02

FI (4件)：

H05K 9/00 R , H05K 3/46 N , H05K 3/46 Q , H05K 1/02 N

前のページに戻る