特許
J-GLOBAL ID：200903082795563298
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259334
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102253
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】インナーリードと半導体素子とのエッジショートを防止し、ボンディング性を向上ささせ、半導体素子の多ピン化が可能な半導体装置を得る。【構成】テープキャリア1のインナーリード3を電極当接表面部分のみを残し絶縁用の絶縁材12で覆う。【効果】エッジショートの問題が無くなることによりインナーリードにホーミングをつける必要がなくなるためボンディングの際の位置合わせも容易になり、また接合後の他行程中に外力によって起こるインナーリード・半導体素子位置関係の変化によるインナーリードの電極当接表面部分以外の部分と半導体素子表面との接触でもショートしなくなるため、信頼性も向上する。また、インナーリードの電極当接表面以外を絶縁処理のため絶縁材で覆ってしまうため、スズによるウィスカー現象も生じない。
請求項（抜粋）：
テープキャリアに半導体素子を配設し、該半導体素子に設けた多数の凸状電極に前記テープキャリアに設けられたリードのインナーリードの先端を圧熱融着によりそれぞれ接続し、しかる後に前記テープキャリアのリードの一部を切断し、又は前記半導体素子及びリードの一部を樹脂等で封止した後に該リードを切断してなる半導体素子において、前記テープキャリアのインナーリード部を、電極当接表面部分のみを残し絶縁用の絶縁材で覆ったことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/603
, H01L 21/60 311
, H01L 23/50
