特許
J-GLOBAL ID:200903082796466440

発光素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 金田 暢之 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-169902
公開番号(公開出願番号):特開2000-357818
出願日: 1999年06月16日
公開日(公表日): 2000年12月26日
要約:
【要約】【課題】 発光強度が十分に高い発光波長を一つ有し、その発光波長を製造時に容易に変えることができ、また製品ごとに特性のばらつきが小さく、しかも簡便な方法で製造可能な発光素子を提供する。【解決手段】 1.2〜1.6μmの波長帯域に発光波長を有する発光素子において、第1導電型シリコン層とその上に積層された第2導電型シリコン層の界面付近に形成された{311}欠陥または転位を発光中心として発光する構成とする。
請求項(抜粋):
第1導電型シリコン層とその上に積層された第2導電型シリコン層の界面付近に形成された{311}欠陥または転位を発光中心として発光することを特徴とする発光素子。
Fターム (8件):
5F041AA11 ,  5F041CA02 ,  5F041CA33 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CB31
引用特許:
出願人引用 (7件)
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