特許

J-GLOBAL ID：200903082798575980

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 山下 富生 ,  井上 恭典
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098848
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289248
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 素子の微細化に適した良好な多層配線構造を提供すること。【解決手段】 下層金属配線8の表面にTiN薄膜7を形成し、その上にSi酸化膜9を堆積し、その上にTiN膜10を形成し、前記Si酸化膜9及びTiN膜10にTiN膜7に通じるコンタクトホール11を形成し、このコンタクトホール11内に、ブランケットタングステンCVD法を用いてタングステンプラグ13を形成する。そして、このタングステンプラグ13に電気的に導通するように、上層金属配線17を形成する。すなわち、ブランケットタングステンCVD法によりタングステンを成長させる際に、成長核となりやすいTiNが、Si酸化膜9以外に、コンタクトホール11の底部にも存在するので、コンタクトホール11内にタングステンプラグ13がカバレージ良く形成される。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜を介して形成された下導電層と上導電層とを接続するためのコンタクトホール内に導電性プラグを形成し、前記下導電層の少なくとも表面材料として第1の高融点金属膜を用いると共に、前記上導電層と層間絶縁膜との間に、第2の高融点金属膜を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102

FI (6件)：

H01L 21/90 A ,  C23C 14/06 N ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23F 1/00 102 ,  H01L 21/30 574