特許

J-GLOBAL ID：200903082799974594

半導体装置及びその製造方法

発明者： 馬場 智也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-185154
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019851
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】1つの基板で、nチャネルMOSFETとpチャネルMOSFETに対して、異なる基板構造を実現して同程度の移動度向上を達成することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板11と、このシリコン基板11上に形成された、シリコン基板11と格子定数の異なるシリコンゲルマニウム膜14p、14nと、このシリコンゲルマニウム膜14p上のpチャネルMOSFET形成領域に形成されたpチャネルMOSFET33と、シリコンゲルマニウム膜14n上のnチャネルMOSFET形成領域に形成されたnチャネルMOSFET32とを備える。pチャネルMOSFET形成領域のシリコンゲルマニウム膜14pの膜厚が、nチャネルMOSFET形成領域のシリコンゲルマニウム膜14nの膜厚より薄い半導体装置を提供する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、このシリコン基板上に形成された、シリコン基板と格子定数の異なるシリコンゲルマニウム膜と、このシリコンゲルマニウム膜上のpチャネルMOSFET形成領域に形成されたpチャネルMOSFETと、シリコンゲルマニウム膜上のnチャネルMOSFET形成領域に形成されたnチャネルMOSFETとを備え、 前記pチャネルMOSFET形成領域のシリコンゲルマニウム膜の膜厚が、nチャネルMOSFET形成領域のシリコンゲルマニウム膜の膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/8238 ,  H01L21/20 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

FI (4件)：

H01L27/08 321C ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 321B ,  H01L29/78 301B

Fターム (29件)：

5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA03 ,  5F048BA19 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BE03 ,  5F048BG14 ,  5F052JA04 ,  5F052KA01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA05 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BB01 ,  5F140BB06 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08