特許

J-GLOBAL ID：200903082808445621

光導波路の製造方法およびプラズマCVD装置

発明者： 中山 高志 ,  大平 健太郎
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (2件)： 櫛渕 昌之 ,  櫛渕 一江
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-297498
公開番号（公開出願番号）：特開2004-133184
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【目的】コア間のクラッドの埋め込み性を向上させ、成膜速度の向上、生産効率の向上あるいは素子損失の低減を図る。【解決手段】原料ガスが供給される反応室1と、反応室1の内部に配置された上部シャワー電極2と、反応室1の内部に上部シャワー電極2と対向する位置に配置された下部電極3と、を備えたプラズマCVD装置を用いて光導波路を製造する光導波路の製造方法であって、成膜時に上部シャワー電極2に第1の周波数(13.56MHz)を有する高周波電力を供給し、下部電極3に第2の周波数(380kHz)を有する高周波電力を供給する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

原料ガスが供給される反応室と、前記反応室の内部に配置された第1電極と、前記反応室の内部に前記第1電極と対向する位置に配置された第2電極と、を備えたプラズマCVD装置を用いて光導波路を製造する光導波路の製造方法であって、 成膜時に前記第1電極に第1の周波数を有する高周波電力を供給する第1電源供給過程と、 前記成膜時に前記第2電極に第2の周波数を有する高周波電力を供給する第2電源供給過程と、 を備えたことを特徴とする光導波路の製造方法。

IPC (3件)：

G02B6/13 ,  C23C16/509 ,  G02B6/12

FI (3件)：

G02B6/12 M ,  C23C16/509 ,  G02B6/12 N

Fターム (19件)：

2H047KA04 ,  2H047PA04 ,  2H047PA05 ,  2H047PA14 ,  2H047QA04 ,  2H047TA41 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030FA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030KA22 ,  4K030KA41 ,  4K030LA11