特許

J-GLOBAL ID：200903082811658504

半導体装置

発明者： 小野 瑞城
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-069028
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264777
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【構成】本発明は、半導体基板と、前記半導体基板に接して存在し且つ前記半導体基板側は比較的誘電率が低く且つ前記半導体基板と反対側は比較的誘電率が高い絶縁膜と、前記絶縁膜に接して存在するところの電極とを有する事を特徴とする半導体装置である。【効果】この発明の構造および製造方法を用いれば、ゲート抵抗の低減と、信頼性の向上との両立を図る事ができるので高速動作かつ高信頼性の半導体装置が構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板の表面に、形成された絶縁膜と、この絶縁膜の表面に形成された電極として用いられる導電膜とを備え、前記絶縁膜の前記半導体基板と接する領域の誘電率は、前記絶縁膜の他の領域の誘電率よりも、低いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-137562
  
• 特開平3-268435
  
• 特開平4-137562
  
• 特開平3-268435