特許
J-GLOBAL ID：200903082812020643
光発電素子、その製造方法及びそれに供される製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347456
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204530
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 遮光ロス低減を実現しつつ電極材料の抵抗損失を低減できるようにした光発電素子を提供することを目的とする。【構成】 少なくとも、光起電力を発生させる半導体層15と該光起電力の集電電極から成る光発電素子であって、該集電電極を構成する導電ペースト13上の低融点金属たる共晶合金の半田12に、半田濡れ性を有する少なくとも1種類又は二種以上の異種の金属微粒子14を共分散させることにより、熱溶融時の半田の流動性を抑え、導電ペースト13上の半田の飽和限界量を従来例に比べて2倍以上にすることができる。ここで、低融点金属に分散させる金属粒子14としては、半田に対して濡れ性を有するものであればいずれでもよい。
請求項（抜粋）：
少なくとも、光起電力を発生させる半導体層と該光起電力の集電電極から成る光発電素子において、該集電電極は、一種又は二種以上の金属から成る低融点金属に一種又は二種以上の金属を分散して成ることを特徴とする光発電素子。
FI (2件)：
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 H
