特許

J-GLOBAL ID：200903082813510857

シリコン酸化膜のエッチング方法

発明者： 福田 誠一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036161
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232280
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 水素ガスまたは一酸化炭素ガスを添加ガスに用いることなく、高速にかつ高選択的にシリコン酸化膜をエッチング可能とする。【解決手段】 プラズマ処理室21内に被処理体1を配置するとともに、プラズマ処理室21内にプラズマ28を発生させて、被処理体1の表面に成膜されたシリコン酸化膜をエッチングする方法において、このエッチングの際に、プラズマ28によってCF+ ,CF2 + を生成可能な物質、例えばCF+ ,CF2 + を生成可能な有機低誘電体材料からなる有機低誘電体膜232を、プラズマ処理室内21に配置して、シリコン酸化膜のエッチング特性を制御する。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理室内に被処理体を配置するとともに、前記プラズマ処理室内にプラズマを発生させて、前記被処理体の表面に成膜されたシリコン酸化膜をエッチングする方法において、前記エッチングの際に、前記プラズマによってCF+ ,CF2 + を生成可能な物質を前記プラズマ処理室内に配置して、前記シリコン酸化膜のエッチング特性を制御することを特徴とするシリコン酸化膜のエッチング方法。