特許
J-GLOBAL ID：200903082813994951
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038103
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249762
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】急峻な不純物分布及びSiGe/Siヘテロ構造を有する半導体上に、それらのプロファイルを崩さずに電気的特性の優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【構成】急峻な不純物分布及びSiGe/Siヘテロ構造を有する半導体上に、水蒸気を含んだ酸化法と、SiエッチングからSiO2 堆積へ連続的に行う化学気相法を用いてゲート酸化膜を形成し、MOSFETを作製する。
請求項（抜粋）：
半導体基体上に形成したゲート絶縁膜に接するゲート電極の電圧を変化させることで前記半導体基体と前記ゲート絶縁膜の界面に電子もしくは正孔を誘起し、これによってスイッチングを行う装置の製造方法において、不純物分布の拡がりが50nm以下である不純物層を有する半導体基体上に、前記半導体基体をその成分の一つに持つ酸化膜を、水蒸気を含んだ酸素雰囲気で形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 B
