特許

J-GLOBAL ID：200903082816155110

半導体装置の実装方法

発明者： 登 一博 ,  西田 一人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102759
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298271
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】 電気的接続不良が起きることが無く、不良半導体装置の取替えが可能である半導体装置の実装方法の提供。【構成】 金線の先端に形成した金ボールをキャピラリーで半導体装置1の電極2上に加圧し加熱と超音波振動とで電極2に電気的機械的に接合した後、前記キャピラリーをループ移動させて形成した突起形状頂部を有する金線突起電極3を形成し、回路基板上に、絶縁性接着樹脂7aに導電性微粒子6を絶縁性を損なわない程度に少量分散させた異方性導電膜7を貼り付け、レベリング板で金線突起電極3の突起形状頂部を略平坦化する際に、前記略平坦化面に導電性微粒子6の直径より少し小さい段差を有し導電性微粒子6を捕捉するする凹部5を設け、半導体装置1を回路基板9に押圧し加熱して異方性導電膜7を硬化させる。

請求項（抜粋）：

金線の先端に熱エネルギにより金ボールを形成し、前記金ボールをキャピラリーにより半導体装置の電極上に接合した後、前記キャピラリーをループ移動させて突起形状頂部を有する金線突起電極を形成する金線突起電極形成工程と、回路基板上に、絶縁性接着樹脂に導電性微粒子を絶縁性を損なわない程度に少量分散させたものからなる異方性導電膜を貼り付ける異方性導電膜貼付工程と、レベリング板を前記半導体装置の金線突起電極の突起形状頂部に押し当て、前記突起形状頂部を略平坦化する際に、前記の略平坦化された面に対して前記導電性微粒子の直径より少し小さい段差を有する凹部を前記略平坦化された面に残すレベリング工程と、前記金線突起電極と前記回路基板の入出力電極とを位置合わせした後、前記半導体装置を前記回路基板に押圧し加熱して前記異方性導電膜を硬化させる押圧加熱工程とを有することを特徴とする半導体装置の実装方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/607 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 21/60 301 H ,  H01L 21/607 A ,  H01L 21/92 604 K