半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青木朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063342
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267302
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 I/Oセルを効率的配置する事により、チップの種類に係わらず等間隔で均一なバンプ配置を有すると同時に多ピン化に対応した半導体装置を提供する。【構成】エリアバンプ構成を有する半導体装置1に於いて、大きさの異なるI/Oセルを当該半導体装置に混在させて配置するに際し、寸法の大きなI/Oセル6をバンプ形成領域の周辺部2に配置し、寸法の小さいI/Oセル4を該バンプ形成領域の内部11に配置した半導体装置。

請求項（抜粋）：

エリアバンプ構成を有する半導体装置に於いて、大きさの異なるI/Oセルを当該半導体装置に混在させて配置するに際し、寸法の大きなI/Oセルをバンプ形成領域の周辺部に配置し、寸法の小さいI/Oセルを該バンプ形成領域の内部に配置したことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-194640
特開昭58-116757

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