特許
J-GLOBAL ID：200903082819942570
静電容量式圧力センサの製造法とその製造法による静電容量式圧力センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-132964
公開番号（公開出願番号）：特開平9-318476
出願日： 1996年05月28日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 静電容量式圧力センサの初期容量のばらつきを低減する。【解決手段】 ダイアフラム1と固定基板3を接着層5を介して張り合わせて、荷重をかけた儘焼成し、荷重を除いて再度熱処理することによって、接着層5内の内部応力を削減しダイアフラム1の反りを低減させ、初期容量や温度特性のばらつきを抑制する。
請求項（抜粋）：
電気絶縁性材料からなるダイアフラムと固定基板の上に所定の電極パターンを形成する工程と、前記ダイアフラムと前記固定基板とを一定間隔に保持し接着する接着層を前記ダイアフラムと前記固定基板の電極の周縁部に形成する工程と、前記ダイアフラムと前記固定基板を前記接着層を介して張り合わせて荷重をかけた儘焼成し前記ダイアフラムと前記固定基板とを一定間隔に保持し接着する工程と、荷重を除いた状態で高温処理した後徐冷して前記接着層内の内部応力を取り除く工程とを有する静電容量式圧力センサの製造法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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