特許

J-GLOBAL ID：200903082830256735

半導体装置の製造方法

発明者： 白井 良史 ,  鈴村 正彦 ,  早崎 嘉城 ,  鈴木 裕二 ,  岸田 貴司 ,  高野 仁路 ,  吉田 岳司
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167178
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012721
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 任意の膜厚の絶縁膜を有し、かつ、薄膜化された活性シリコン層を有するSOI基板を形成するとともに、素子間分離を行い、表面を平坦化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶シリコン基板1を、LOCOS酸化を行うことにより、素子間分離用のシリコン酸化膜5を形成し、単結晶シリコン基板1のLOCOS酸化を行った面側にポリシリコン層6を堆積させる。続いて、熱酸化を行うことによりポリシリコン層6をシリコン酸化膜7に変化させる。そして、シリコン酸化膜9を一主表面に有する単結晶シリコン基板8を別途用意し、シリコン酸化膜7,9が対向するように貼りあわせ、シリコン酸化膜5の少なくとも一部が露出するまで、単結晶シリコン基板1の研削,研磨を行う。

請求項（抜粋）：

第一単結晶シリコン基板の一主表面をLOCOS酸化を行うことにより第一絶縁膜を形成し、前記単結晶シリコン基板のLOCOS酸化を行った面側に表面が平坦化するまで第二絶縁膜を形成し、一主表面に第三絶縁膜を有する第二単結晶シリコン基板を、前記第二絶縁膜と前記第三絶縁膜とが対向するように貼り合わせ、前記第一単結晶シリコン基板を、前記第一絶縁膜の少なくとも一部が露出するまで研磨するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 F