特許

J-GLOBAL ID：200903082832603947

GaN系半導体装置

発明者： 吉田 清輝 ,  和田 崇宏
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-278264
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086784
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 オン抵抗が低く、大電流駆動が可能なGaN半導体装置を提供する。【解決手段】 透明な絶縁基板1の片面にはGaN系材料から成るトランジスタ構造Bが形成され、かつ絶縁基板1の他面にはGaN系材料から成る発光ダイオード構造Cが形成されているGaN系半導体装置。

請求項（抜粋）：

透明な絶縁基板の片面にはGaN系材料から成るトランジスタ構造が形成され、かつ前記絶縁基板の他面にはGaN系材料から成る発光ダイオード構造が形成されていることを特徴とするGaN系半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/15 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 27/095 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 27/15 B ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/80 E ,  H01L 27/06 F

Fターム (20件)：

5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CB33 ,  5F102FA02 ,  5F102GA19 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC15