特許
J-GLOBAL ID：200903082844937263
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327742
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166980
出願日： 1991年12月11日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】本発明はバンプを用いた半導体装置に関し、高密度実装を実現しつつ効率良い放熱を行うことを目的とする。【構成】半導体チップ11と、この半導体チップ11の表面と対向して配設される放熱板15と、半導体チップ11と放熱板15とを物理的に接触させる放熱用バンプ14とを設ける。【効果】半導体チップで発生した熱はバンプを介して放熱板に熱伝達され、放熱板にて放熱される。半導体チップにおいて発熱するのは、主にその表面であり、半導体チップの表面に配設されたバンプを介して熱は放熱板に熱伝達されるため、半導体チップの熱を効率良く放熱することができる。また、放熱板はその表裏全面において放熱を行うため放熱効率は良好であり、熱導体チップと略等しい表面積を有する放熱板で放熱を行うことができるため、半導体装置の小型化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体チップ(11)と、該半導体チップ(11)の表面と対向して配設される放熱板(15,21)と、該半導体チップ(11)と該放熱板(15,21)とを物理的に接触させる放熱用バンプ(14,22,31,41,61)とを設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/36 D
, H01L 21/92 C
