半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086408
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282589
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】薄型で、かつ、コンタクト用不純物拡散領域を介して裏面電極を配した半導体装置において、ウエハ状の基板における強度的な不具合を回避できるとともに、より低温で裏面電極のコンタクトをとることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウエハ状の半導体基板30における一方の面の表層部に素子形成用不純物拡散領域を形成し、その反対の面から研削加工して基板30を所定の厚さにし、外周部を残して所定深さまでエッチングして薄膜化する。不純物ドープトポリシリコン膜31を形成するとともに、膜31から半導体基板30側に不純物を拡散させて表層部にコンタクト用不純物拡散領域を形成する。不純物ドープトポリシリコン膜30に接するように裏面電極32を形成した後、ダイシングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板(20)における一方の面の表層部に素子形成用不純物拡散領域(21,22)が形成されるとともに、前記半導体基板(20)における他方の面の表層部にコンタクト用不純物拡散領域(27)が形成され、当該コンタクト用不純物拡散領域(27)を介して裏面電極(29)が配置された半導体装置の製造方法であって、ウエハ状の半導体基板(30)における一方の面の表層部に素子形成用不純物拡散領域(21,22)を形成する工程と、前記ウエハ状の半導体基板(30)における素子形成用不純物拡散領域(21,22)を形成した面とは反対の面から研削加工して当該基板(30)を所定の厚さにする工程と、前記ウエハ状の半導体基板(30)における素子形成用不純物拡散領域(21,22)を形成した面とは反対の面に対し同半導体基板(30)の外周部を残して所定深さまでエッチングして薄膜化する工程と、前記ウエハ状の半導体基板(30)における素子形成用不純物拡散領域(21,22)を形成した面とは反対の面に不純物ドープトポリシリコン膜(31)を形成するとともに、不純物ドープトポリシリコン膜(31)から半導体基板(30)側に不純物を拡散させてウエハ状の半導体基板(30)における素子形成用不純物拡散領域(21,22)を形成した面とは反対の面の表層部にコンタクト用不純物拡散領域(27)を形成する工程と、前記不純物ドープトポリシリコン膜(31)に接するように裏面電極(32)を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 21/304 631 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78

FI (7件)：

H01L 21/304 631 , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 652 L , H01L 29/78 652 Q , H01L 29/78 658 G , H01L 29/78 658 F , H01L 29/78 658 A

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