特許
J-GLOBAL ID：200903082860786003
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051990
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259115
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 シリコン基板とチタン膜等との選択的反応によって生成する, いわゆるサリサイドを利用する半導体集積回路に関し,特別の工程の追加を必要とせずに, 所望の素子領域のみに選択的にサリサイドを形成可能とすることを目的とする。【構成】 サリサイドを形成すべき所定の素子領域に例えば側壁絶縁層7を形成すると同時に, サリサイドを形成するのが好ましくない他の素子領域を覆うように,この絶縁層を残す。この状態でチタン膜8等を堆積すると, 所定の素子領域にのみサリサイド8Aが形成される。他の素子領域における未反応のチタン膜等は, エッチングにより選択的に除去可能である。
請求項（抜粋）：
分離絶縁層によって互いに分離された第1の領域および第2の領域が画定された高抵抗のシリコン基板の一表面を覆う第1の絶縁層を形成する工程と,該第1の領域内において一部の領域を選択的に覆うとともに該一部の領域を除く所定領域に該シリコン基板表面を表出するように且つ該第2の領域全体を覆うように該第1の絶縁層をパターニングしたのちシリコンと反応して低抵抗の化合物を生成する金属膜を該シリコン基板表面全体に堆積する工程と,該金属膜を熱処理して該第1の領域における前記所定領域に表出する該シリコン基板表面と該金属膜とを選択的に反応させたのち該分離絶縁層上および前記パターニングされた該第1の絶縁層上における該金属膜を選択的に除去しさらに該シリコン基板表面を覆う第2の絶縁層を堆積する工程と,該金属膜と選択的に反応した該シリコン基板表面の前記所定領域の少なくとも一部を表出する第1の開口を該第2の絶縁層に形成するとともに第2の領域における該シリコン基板表面の少なくとも一部を表出する第2の開口を該第2の絶縁層および該第1の絶縁層に形成したのち該第1および第2の開口を通じて該シリコン基板表面に接触する導電層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 27/06
