特許
J-GLOBAL ID：200903082867911172
半導体力学量センサおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-148073
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135690
出願日： 2007年06月04日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】キャップを薄型化できるようにすることにより、半導体力学量センサの薄型化が図れるようにでき、かつ、真空度の維持も容易に行えるようにする。【解決手段】SOI基板1を用い、SOI基板1をセンサウェハ11に貼り合わせてから単結晶シリコン基台2および埋め込み酸化膜4を除去し、単結晶シリコン層3がキャップ層となるようにする。つまり、最初から薄膜のキャップ層を用意してセンサウェハ11に貼り合わせるのではなく、貼り合わせるときまでは厚いSOI基板1にてウェハ状態を保ちつつ、貼り合わせ後にそれを薄膜化する。これにより、キャップ層を最初から薄膜とした場合のように、割れ等を防いでウェハ状態を保つために、キャップ層をある程度の厚みにしておく必要がない。また、キャップ層をポリイミド樹脂フィルムで構成する場合のように撓んで真空度の維持が困難になるなどの問題も発生しない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
センサ構造体(7、9、84、85)が形成されたセンサウェハ(11、87)上にキャップ層(3、42、53、63、73)を有するキャップ用基板(1、43、54、64、74)を搭載したのち、前記キャップ用基板(1、43、54、64、74)から前記キャップ層を分離し、さらに前記センサウェハ(11、87)および前記キャップ層(3、42、53、63、73)をチップ単位に分割することで形成される半導体力学量センサであって、
前記キャップ層(3、42、53、63、73)と前記センサ構造体と対応する位置には空間部(5、44、55、65、75)が形成され、前記センサウェハ(11、87)と前記キャップ層(3、42、53、63、73)とが直接接合により貼り合わされていることを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (6件)：
H01L 23/02
, G01P 15/08
, G01P 15/125
, H01L 29/84
, B81B 3/00
, B81C 3/00
H01L23/02 J
, G01P15/08 P
, G01P15/125 Z
, H01L29/84 Z
, B81B3/00
, B81C3/00
2F105BB04
, 2F105BB13
, 2F105CC04
, 2F105CD13
, 3C081AA11
, 3C081BA07
, 3C081CA03
, 3C081CA32
, 3C081CA40
, 3C081CA41
, 3C081CA42
, 3C081CA43
, 3C081DA02
, 3C081DA06
, 3C081DA22
, 3C081DA42
, 3C081EA02
, 4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA31
, 4M112CA33
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA15
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA05
, 4M112EA06
, 4M112EA11
, 4M112FA20
出願人引用 (2件)
-
慣性力センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-124795
出願人：三菱電機株式会社
-
小型電子部品
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-176728
出願人：株式会社村田製作所
審査官引用 (7件)
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