半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-075587
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283389
出願日： 1994年04月14日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】高歩留まりの耐熱性の良好なオーミック電極構造を実現する。【構成】電極のInGaAs層4に対する接触面にPt薄膜6を設けてなることを特徴とする。また、電極9はInGaAs層4に接触する下層より、Pt薄膜6、高融点金属薄膜7、Au薄膜8の順に積層されてなることを特徴とする。また、高融点金属7は、Ti、W、Moのいづれか、またはそのいづれかの珪化物または窒化物であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上面にInGaAs層を形成し、該InGaAs層の上面に電極を形成する半導体装置において、前記電極の前記InGaAs層に対する接触面にPt薄膜を設けてなることを特徴とする半導体装置。

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