特許

J-GLOBAL ID：200903082871355446

III -V族半導体ウエ-ハ及びその加工方法

発明者： 西浦 隆幸
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124159
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307316
出願日： 1994年05月12日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 III -V族半導体ウエ-ハの側面に付けられ結晶方位を示すオリエンテ-ションフラットが、真の劈開面からずれていると、製造工程で不良品が発生しやすいし、製造されたレ-ザ素子も性能が悪い。従来は劈開面からの許容誤差が0.5°とされていた。この公差は大きすぎるということがわかった。適性な公差を与えることが目的である。【構成】 本発明のIII -V族半導体ウエ-ハは、側面に付けるオリエンテ-ションフラットが、劈開面から0.02°の範囲にあるようにしている。こうすることにより、製造歩留まりが向上する。また製品は、最小発振電流(閾値電流)が低くなり、電流/光変換効率も高揚する高性能のレ-ザ半導体を得ることができる。

請求項（抜粋）：

III -V族化合物半導体の(100)面を持つ円形ウエ-ハで、方位を示すために側周に付けられた2つのオリエンテ-ションフラットが、(0±1±1)面に対する周方向の誤差が±0.02°以内であり、機械加工によって形成されていることを特徴とするIII -V族半導体ウエ-ハ。

IPC (8件)：

H01L 21/304 311 ,  H01L 21/304 331 ,  C30B 19/00 ,  C30B 29/40 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/368 ,  H01L 21/68 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-188325
  
• 特開平2-076226
  
• 特開平4-113619