半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186967
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037108
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】ゲート電極等、金属ポリサイド膜からなる導電体層を有する半導体装置の製造方法に関し、配線層やゲート電極となる金属ポリサイド膜中に低抵抗化のために導入されている導電型不純物が絶縁膜を形成するための加熱処理により外方拡散するのを防止することができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】ゲート絶縁膜23上に導電型不純物が導入されたシリコン膜24a及び高融点金属シリサイド膜25aからなるゲート電極28を形成する工程と、ゲート電極28を被覆して導電型不純物の外方拡散を阻止する保護絶縁膜30を形成する工程と、保護絶縁膜30で被覆されたゲート電極28を被覆して絶縁膜31を形成する工程と、絶縁膜31を異方性エッチングによりエッチングし、ゲート電極28の側壁にサイドウオール31aを形成する工程とを含み構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の導電型不純物が導入されたシリコン膜、又は導電型不純物が導入されたシリコン膜及び該シリコン膜上の高融点金属シリサイド膜からなるゲート電極と、前記ゲート電極の両側の半導体基板に形成されたソース/ドレイン領域層と、前記ゲート電極の側壁のサイドウオールとを有する半導体装置の製造方法において、前記ゲート絶縁膜上に前記導電型不純物が導入されたシリコン膜と高融点金属シリサイド膜とからなるゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を被覆して導電型不純物の外方拡散を阻止する保護絶縁膜を形成する工程と、前記保護絶縁膜で被覆されたゲート電極を被覆して絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を異方性エッチングによりエッチングし、前記ゲート電極の側壁にサイドウオールを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/3205 , H01L 29/62

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-243471
特開平3-074848
特開平3-139826

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