特許
J-GLOBAL ID：200903082878569565
ガスの導入と流れの制御方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300948
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118799
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 横形有機金属気相成長結晶炉において、細い幅のガス導入口より導入されたガスが、より広い幅を有する高温のサセプタ上において、流速分布及び原料ガス供給が空間的に一様となり、かつ流れが渦等の発生しない層流となるガスの導入と流れの制御方法を提供する。【解決手段】 細い幅のガス導入口7より導入されたガスが、より広い幅を有する高温のサセプタ5上において、細い幅のガス導入口7から高温のサセプタ5に至る末広がりのガス導入路8上に、ガス導入路側壁4と接触しないようにして、水平面上左右対称に流れベクトルを制御する菱形状構造物10を配置する。
請求項（抜粋）：
反応させるべき原料ガス及びこれを搬送するガスを、ガス導入口より導入し、これを化学反応を生起するに十分な高温のサセプタ上に誘導し、サセプタ上に設置したウエハー上において化学反応に由来する所望の堆積膜を堆積させることを目的とした横形有機金属気相成長結晶炉において、細い幅のガス導入口より導入されたガスが、より広い幅を有する高温のサセプタ上において、流れの速度分布及び原料ガスの供給が空間的に一様なり、かつ流れが渦等の発生しない層流となるように、細い幅のガス導入口から高温のサセプタに至る末広がりのガス導入路上に、ガス導入路側壁と接触しないようにして、水平面上左右対称に流れベクトルを制御する構造物を配置することを特徴とするガスの導入と流れの制御方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/455
H01L 21/205
, C23C 16/455
4K030AA11
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030KA02
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045BB02
, 5F045DP04
, 5F045EB02
, 5F045EE12
, 5F045EE17
, 5F045EE20
, 5F045EF14
