特許

J-GLOBAL ID：200903082879417718

シリコン基板上化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 福澤 香苗 ,  河西 和美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-296075
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153683
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板上化合物半導体装置及びその製造方法に関し、SiO2膜除去工程において、シリコン基板表面に表面低抵抗層が形成されることを防止する。【構成】 シリコン基板1を酸素を除くVI族元素を含むガス雰囲気3中でアニール処理して、シリコン基板1表面のSiO2 膜2を蒸発させて除去したのち、シリコン基板1上にGaを含むIII-V族化合物半導体層6,7をエピタキシャル成長させる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板とGaを含むIII-V族化合物半導体成長層との間にGaを含むIII-VI族化合物半導体層を介在させたことを特徴とするシリコン基板上化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812