特許

J-GLOBAL ID：200903082884913634

化合物半導体のオーミック電極及びその製造方法

発明者： 高本 達也 ,  安居院 高明
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211481
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078355
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 接触抵抗が低く、且つ素子特性の安定した化合物半導体のオーミック電極及びその製造方法を提供する。【構成】 Teを含むP型化合物半導体と、前記P型化合物半導体上に形成されたCuxS、CuxTeまたはCuxSeから成る中間層と、前記中間層にオーミック接合する金属層とを備えた。その製造方法としては、S、Te、またはSeを含む金属化合物から組成されたP型化合物半導体の表面に対して前記金属化合物の構成元素をCuで置換する処理を行って中間層を形成し、その中間層の面上にオーミック接合する金属層を形成する。

請求項（抜粋）：

Teを含むP型化合物半導体と、前記P型化合物半導体上に形成されたCuxS、CuxTeまたはCuxSeから成る中間層と、前記中間層にオーミック接合する金属層とを含むことを特徴とする化合物半導体のオーミック電極。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 31/04 E