特許

J-GLOBAL ID：200903082885969013

シリコン上に単結晶GaNを成長させる方法

発明者： ペクザルスキー,アンジェイ ,  ノハヴァ,トーマス・イー
出願人/特許権者： ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  西山 文俊
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-509768
公開番号（公開出願番号）：特表2006-523033
出願日： 2004年04月07日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

シリコン基板上に少なくとも2ミクロンの厚さの単結晶GaN薄膜を成長させる方法を開示する。該方法は、プレレイヤー、シリコン基板上のAlNを含むバッファ層、及び、該AlNバッファ層の頂部に交互に堆積された複数のGaN層及びAlN層を成長させることを含む。複数のGaN層及びAlN層の堆積条件及びタイミングを制御することにより、単結晶GaN薄膜は、クラック又はピット無しで2ミクロンより厚く成長させることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に単結晶GaN(窒化ガリウム)を成長させる方法であって、 水素雰囲気中でトリメチルアルミニウム(TMAl)を使用して、シリコン基板の頂部に少なくとも一つの最初の層を堆積させ、 前記最初の層の頂部に複数のGaN層及び中間層を交互に堆積させる、 ステップを含むことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  C23C 16/34

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/02 ,  C23C16/34

Fターム (59件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB06 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EF03 ,  4G077EF04 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA11 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC14 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045HA03 ,  5F045HA04 ,  5F045HA23