特許
J-GLOBAL ID:200903082890756001
スイッチング素子及び半導体集積回路
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-248234
公開番号(公開出願番号):特開2001-077686
出願日: 1999年09月02日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】 リコンフィギュラブルな回路について、実装密度を向上させることを目的とする。【解決手段】 入力端子(N1)から入力された信号を増幅し、出力端子(N2)に出力するバッファ(R)と;入力端子と第1配線(L1)の間に、入力端子と第2配線(L2)の間に、入力端子と第3配線(L3)の間に、入力端子と第4配線(L4)の間に、出力端子と第1配線の間に、出力端子と第2配線の間に、出力端子と第3配線の間に、出力端子と第4配線の間にそれぞれ設けられた第1乃至第8トランジスタ(T1〜T8)と;第1乃至第8トランジスタの導通状態を制御するデータがそれぞれ格納されている第1乃至第8メモリ(M1〜M8)を備えることを特徴とするスイッチング素子。
請求項(抜粋):
入力端子から入力された信号を増幅し、出力端子に出力するバッファと、第1配線に接続する第1ノードと、第2配線に接続する第2ノードと、第3配線に接続する第3ノードと、第4配線に接続する第4ノードと、前記入力端子と前記第1ノードの間に設けられた第1トランジスタと、前記入力端子と前記第2ノードの間に設けられた第2トランジスタと、前記入力端子と前記第3ノードの間に設けられた第3トランジスタと、前記入力端子と前記第4ノードの間に設けられた第4トランジスタと、前記出力端子と前記第1ノードの間に設けられた第5トランジスタと、前記出力端子と前記第2ノードの間に設けられた第6トランジスタと、前記出力端子と前記第3ノードの間に設けられた第7トランジスタと、前記出力端子と前記第4ノードの間に設けられた第8トランジスタと、前記第1トランジスタの導通状態を制御するデータが格納されている第1メモリと、前記第2トランジスタの導通状態を制御するデータが格納されている第2メモリと、前記第3トランジスタの導通状態を制御するデータが格納されている第3メモリと、前記第4トランジスタの導通状態を制御するデータが格納されている第4メモリと、前記第5トランジスタの導通状態を制御するデータが格納されている第5メモリと、前記第6トランジスタの導通状態を制御するデータが格納されている第6メモリと、前記第7トランジスタの導通状態を制御するデータが格納されている第7メモリと、前記第8トランジスタの導通状態を制御するデータが格納されている第8メモリを備えることを特徴とするスイッチング素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H03K 19/177
, H01L 21/82 A
Fターム (16件):
5F064AA08
, 5F064BB26
, 5F064BB37
, 5F064EE12
, 5F064FF24
, 5F064FF36
, 5J042AA10
, 5J042BA01
, 5J042BA02
, 5J042BA04
, 5J042CA02
, 5J042CA07
, 5J042CA08
, 5J042CA20
, 5J042CA27
, 5J042DA01
引用特許: