特許
J-GLOBAL ID：200903082890925466
光露光用マスクおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025914
公開番号（公開出願番号）：特開平6-242595
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 データ量を大幅に増加させることなく、設計パターンに忠実な転写パターンを形成可能な半導体集積回路製造のための光露光用マスクを提供する。【構成】 半導体集積回路の設計パターン11のうち基本的な周期構造を持つ部分を抜き出し、単独では半導体基板に転写されない微少な補助パターン13を基本的な周期構造の主パターン12の角部に対応する場所に設けた補助パターンデータを作成し、この補助パターンデータと設計パターンに対応する主パターンデータとを合成して光露光用マスクを製造する。補助パターン13を、周期構造と異なっている箇所も含めて、主パターン12の角部に対応する場所に形成したため、補助パターン13の付加によるデータ量の増加を最小限に抑えることができながら、設計パターンに忠実な転写パターンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
設計パターンが基本的な周期構造を有しているとともに前記設計パターンの一部が前記周期構造と異なっている半導体集積回路を、ホトリソグラフィで半導体基板に作製する場合に用いられる光露光用マスクにおいて、転写パターンの角部の円形化を防止する微少な補助パターンを、前記基本的な周期構造となっている箇所だけでなく、前記周期構造と異なっている箇所も含めて、前記基本的な周期構造のパターンの角部に対応する場所に形成した光露光用マスク。
IPC (2件)：
引用特許：
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