シリコン基板の酸化方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：穂上照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055802
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263436
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】膜厚の厚いシリコン酸化膜であって複数箇所の領域において僅かな膜厚差を有するシリコン酸化膜をシリコン基板上に正確に短時間の酸化処理工程によって得る方法の提供。【構成】次の(1) 〜(3) の工程を順に行うことを特徴とするシリコン基板の酸化方法。(1) シリコン基板の表面に窒素イオンを2×1014cm-2以上注入する工程(2) 乾燥酸化雰囲気中でシリコン基板を加熱する工程(3) 加湿酸化雰囲気中でシリコン基板を加熱する工程

請求項（抜粋）：

次の(1) 〜(3) の工程を順に行うことを特徴とするシリコン基板の酸化方法。(1) シリコン基板の表面に窒素イオンを2×1014cm-2以上注入する工程(2) 乾燥酸化囲気中でシリコン基板を加熱する工程(3) 加湿酸化雰囲気中でシリコン基板を加熱する工程

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 W , H01L 21/265 A

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