特許

J-GLOBAL ID：200903082895874932

パワー半導体モジュール基板の製造方法

発明者： 中橋 昌子 ,  霜鳥 一三 ,  竹田 博光 ,  山崎 達雄 ,  白兼 誠
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300702
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176651
出願日： 1983年08月02日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 簡略化された構造で、かつ良好な絶縁耐圧を有することは勿論、優れた放熱特性、耐熱衝撃性を有し、さらに低抵抗の配線材料等として機能するCu部材がAlN部材に強固に接合されたパワー半導体モジュール基板の製造方法を提供する。【構成】 窒化アルミニウム部材と銅部材との間に活性金属層または活性金属および銅からなる合金層を介在させる工程と、前記活性金属層または合金層が介在された前記窒化アルミニウム部材および前記銅部材を真空雰囲気もしくは不活性雰囲気で加熱して前記窒化アルミニウム部材と前記銅部材との間に銅と活性金属からなる合金融液を生成する工程と、さらに加熱を続行して前記合金融液を前記銅部材に拡散させる工程とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム部材と銅部材との間に活性金属層または活性金属および銅からなる合金層を介在させる工程と、前記活性金属層または合金層が介在された前記窒化アルミニウム部材および前記銅部材を真空雰囲気もしくは不活性雰囲気で加熱して前記窒化アルミニウム部材と前記銅部材との間に銅と活性金属からなる合金融液を生成する工程と、さらに加熱を続行して前記合金融液を前記銅部材に拡散させる工程とを具備したことを特徴とするパワー半導体モジュール基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/14 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/373

FI (3件)：

H01L 23/14 M ,  H01L 23/14 C ,  H01L 23/36 M