特許
J-GLOBAL ID:200903082898192719
自己整合型銅キャップ拡散障壁形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浅村 皓 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-278199
公開番号(公開出願番号):特開2002-164351
出願日: 2001年09月13日
公開日(公表日): 2002年06月07日
要約:
【要約】【課題】 自己整合されたアルミニウム障壁(124)を有する銅相互接続を提供する。【解決手段】 銅相互接続ライン(118)を形成した後で、アルミニウム(124)が銅相互接続ライン(118)の表面に選択的に堆積されるが、IMD(108)の上には堆積されない。アルミニウム障壁(124)はアルミニウム酸化物またはアルミニウム窒化物に変換することもできる。
請求項(抜粋):
集積回路を形成する方法であって:半導体母体を覆って銅構造を形成する工程;前記銅構造を覆ってアルミニウムを含む層を選択的に堆積して、前記銅構造用の障壁層を形成する工程;を含む方法。
IPC (2件):
H01L 21/3205
, C23C 16/06
FI (3件):
C23C 16/06
, H01L 21/88 M
, H01L 21/88 N
Fターム (37件):
4K030BA02
, 4K030BB14
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030LA15
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033JJ11
, 5F033JJ21
, 5F033JJ32
, 5F033MM02
, 5F033MM05
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP02
, 5F033PP07
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ48
, 5F033QQ76
, 5F033QQ78
, 5F033QQ82
, 5F033QQ89
, 5F033QQ94
, 5F033RR01
, 5F033RR03
, 5F033RR11
, 5F033RR14
, 5F033RR15
, 5F033SS04
, 5F033XX24
, 5F033XX28
, 5F033XX31
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