特許
J-GLOBAL ID：200903082905006829
高周波伝送回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263479
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102710
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 高密度実装に対応できるバイパスコンデンサ、あるいは結合コンデンサを容易に構成できるようにする。【構成】 多層基板の誘電体2内にストリップ導体3を設け、このストリップ導体3に対向するグランドプレーン1a、1bとの間の間隔を変化させ、また、ストリップ導体3の面積を変化させて、ストリップ導体3と、グランドプレーン1a、1bとの間に所定の静電容量のコンデンサを構成する。ストリップ導体3の一端を高周波回路の電源ラインにスルーホールで接続してバイパスコンデンサとして動作させる。また表面実装部品をストリップ導体3とグランドプレーン1a、1bとにスルーホールで接続して、結合コンデンサとして動作させるとともに、部品間に他の部品を表面実装して高密度実装化を図る。
請求項（抜粋）：
多層回路基板の内層部に設けられて高周波回路に接続されるストリップ導体と、前記ストリップ導体に対向して前記多層回路基板に設けられて0高周波回路に接続される導体層とを有し、前記ストリップ導体と導体層との間隔を変化させ、また、前記ストリップ導体の面積を変化させて、前記ストリップ導体と前記導体層間との間が所定の静電容量のコンデイサとして動作することを特徴とする高周波伝送回路。
IPC (3件)：
H01P 3/08
, H05K 3/46
, H05K 9/00
