特許

J-GLOBAL ID：200903082905511329

半導体装置の製造方法

発明者： 野崎 秀俊 ,  井原 久典 ,  上村 孝明 ,  古川 章彦 ,  飯田 義典 ,  山口 鉄也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183756
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013346
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、膜厚の再現性や膜質の均一性などに優れたCVD薄膜を得ることを目的とする。【構成】層流方式の光CVD法において、基板3の表面近傍を流れる層流状態の原料ガス19に増感剤として水銀を含ませたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

所定の処理が施された基板上に光CVD法により薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造法において、前記薄膜の形成方法は、水銀を含む原料ガスを前記基板の表面に沿って流すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-119336
  
• 特開昭59-225517