特許

J-GLOBAL ID：200903082910248032

磁気抵抗効果素子および磁気センサ

発明者： 藤澤 直広
出願人/特許権者： エヌオーケー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-243157
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087801
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】Au又はAuを主成分とする合金の非磁性膜を介して小さな外部磁界でも磁気抵抗変化率を高めることにある。【解決手段】 第1の強磁性膜2と非磁性膜3と第2の強磁性膜4とを積層にするとともに、非磁性膜をAu又はAuを主成分とする材料により形成したものである。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性膜(2)と前記第1の強磁性膜(2)に隣接する非磁性膜(3)と前記非磁性膜(3)に隣接する第2の強磁性膜(4)とを順次積層された積層単位膜(5)を有する磁気抵抗効果素子(1)であって、前記非磁性膜(3)がAu又はAuを主成分とする合金により形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R