特許

J-GLOBAL ID：200903082910940475

太陽電池の製造方法

発明者： 清野 知之 ,  小南 信也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-003836
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221149
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】インクジェット法により複数の種類の塗布剤の塗り分けを同時に行い、ドーパント濃度やドーパント種類が異なる領域を簡単な工程で作り出す。シリコン基板において、電極と接する部分のみのドーパント濃度を高めることで、高い光電変換効率の太陽電池が得られる。【解決手段】インクジェット法によって、含有するドーパント濃度が異なる塗布剤を塗り分ける。あるいは、ドーパントの種類が異なる塗布剤を塗り分ける。【効果】塗布剤を塗り分けて高温でドーパントを拡散させると、フォトリソグラフィーのように多くの工程を用いることなく、電極と接する部分のみドーパント濃度を高めることができる。その結果、低コストで高い光電変換効率を有する太陽電池を作ることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板あるいは多結晶シリコン基板を基板として用い、塗布拡散法により形成したpn接合を有する太陽電池の製造方法において、前記塗布拡散法に使用する塗布拡散剤として、複数のドーパント種類あるいは複数のドーパント含有濃度のものを使用し、前記塗布拡散剤をインクジェット法により基板に塗り分け、拡散層パターンを形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (6件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB20 ,  5F051CB29 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04