半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343274
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168921
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 ?@オーバーエッチング時に生じるダメージ層の除去を完全に行うことを可能とし、耐圧劣化等の懸念のない良好な特性を得ることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法の提供。?Aウェット処理によりエッチング後の不要な側壁保護膜を良好に除去することができる半導体装置の製造方法の提供。【構成】 ?@ドライエッチングによって下地絶縁膜に与えられたダメージ層Dをウェットエッチングによる処理により除去する半導体装置の製造方法。?A絶縁膜上に成膜された膜が、絶縁膜のダメージ層を介することなく形成されている半導体装置。?Bドライエッチングによりパターン形成された形成後のパターン側壁の側壁保護膜の除去を、スプレー式スピン洗浄装置により行う。

請求項（抜粋）：

下地絶縁膜上にドライエッチングによりパターン形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ドライエッチングによって下地絶縁膜に与えられたダメージ層をウェットエッチングによる処理により除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 , H01L 21/306

引用特許：

出願人引用 (13件)

特開平4-242927
特開平2-125425
特開平4-096329

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審査官引用 (13件)

特開昭64-007564
特開平4-242927
特開平4-096329

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