特許
J-GLOBAL ID：200903082916638584
半導体集積装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215243
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055893
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【構成】メモリセルから読み出されたデータ信号が入力されると、制御回路2がデータ信号と出力信号を論理合成した信号で出力ドライバ回路をコントロールし、ノードPの電圧がORゲ-ト202の論理しきい値電圧に達するまで電圧上昇すると、Pチャンネルトランジスタ101をOFF状態にしてノードPが電源電位にまで電圧上昇しないようにし、ノードPがANDゲ-ト203の論理しきい値電圧まで電圧降下すると、Nチャンネルトランジスタ102をOFF状態にしてノードPが0Vにまで電圧降下しないようにする。これにより、出力信号の電圧振幅を小さくすることができる。【効果】出力回路の信号応答速度を高速化することができ、出力回路で発生するノイズを低減することができる。
請求項（抜粋）：
出力回路のドライバトランジスタに出力信号とデータ信号とを論理合成した信号を印加する回路手段を有することを特徴とする半導体集積装置。
IPC (3件)：
H03K 19/0175
, H03K 17/687
, H03K 19/01
H03K 19/00 101 F
, H03K 17/687 F
