良好な密着性およびトレンチ充填特性を有する高品質銅膜を堆積する、銅MOCVDの初期段階における熱高密度化

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-242729
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163174
出願日： 2002年08月22日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】良好な密着性およびトレンチ充填特性を有する高品質銅膜を堆積することができる、銅MOCVDプロセスの初期段階における熱高密度化の方法を提供すること。【解決手段】本発明の方法は、窒化物成分を有する集積回路基板上で銅薄膜を形成する方法であって、基板を調製する工程と、銅堆積の前に基板を処理する工程と、約10秒〜40秒間持続する、持続時間が非常に短い銅堆積工程の間、銅を堆積する工程と、基板および堆積された銅を、約1分〜10分間、385°Cより高い温度でベーキングする工程と、所望の厚さまで銅を堆積するため、持続時間が長い銅堆積工程の間、銅を堆積する工程とを包含する。

請求項（抜粋）：

窒化物成分を有する集積回路基板上で銅薄膜を形成する方法であって、該基板を調製する工程と、銅堆積の前に該基板を処理する工程と、約10秒〜40秒間持続する、持続時間が非常に短い銅堆積工程の間、銅を堆積する工程と、該基板および該堆積された銅を、約1分〜10分間、385°Cより高い温度でベーキングする工程と、所望の厚さまで銅を堆積するため、持続時間が長い銅堆積工程の間、銅を堆積する工程とを包含する、方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , C23C 16/18 , C23C 16/56 , H01L 21/285

FI (5件)：

H01L 21/28 A , H01L 21/28 301 R , C23C 16/18 , C23C 16/56 , H01L 21/285 C

Fターム (12件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030DA02 , 4K030DA09 , 4K030JA05 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104HH08

引用特許：

審査官引用 (1件)

銅薄膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-059279 出願人：三菱電機株式会社

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