特許

J-GLOBAL ID：200903082927713685

半導体集積回路装置

発明者： 内山 哲夫 ,  小野沢 和徳 ,  工藤 聡
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立マイコンシステム
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-317935
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152546
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置において、信頼性を向上する。動作特性を向上する。【構成】 同一層内に相互に電気的に独立した複数の導体層33を有し、これらの導体層33上に、窒化珪素膜37より誘電率が低い第1の絶縁膜36を設け、この第1の絶縁膜36上に窒化珪素膜37を設けた半導体集積回路装置において、前記第1の絶縁膜36より耐クラック性が良い第2の絶縁膜35と前記第1の絶縁膜36上に前記窒化珪素膜を設け、前記第1の絶縁膜35及び第2の絶縁膜36の積層膜の膜厚を前記導体層33の膜厚より厚くする。【効果】 前記第1の絶縁膜36のクラックを低減できる。窒化珪素膜37中の可動イオンによる特性変動を低減できる。

請求項（抜粋）：

同一層内に相互に電気的に独立した複数の導体層を有し、該複数の導体層上に、窒化珪素膜より誘電率が低く、かつ、可動イオンを捕獲する第1の絶縁膜を設け、該第1の絶縁膜上に窒化珪素膜を設けて表面保護膜を構成した半導体集積回路装置において、前記第1の絶縁膜の下層に、該第1の絶縁膜より耐クラック性が良い第2の絶縁膜を設け、当該第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の積層膜の膜厚を前記導体層の膜厚より厚くし、前記第1の絶縁膜上に前記窒化珪素膜を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 27/11 ,  H01L 21/318