特許

J-GLOBAL ID：200903082930403522

半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 穴山 親志 ,  棚橋 俊之 ,  近藤 真人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-165157
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005976
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体レーザ装置の製造方法に関し,低しきい値電流で, 高効率, 高出力のレーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 メサストライプ構造1aが設けられ, 所定面指数表面を有する化合物半導体基板1の,メサストライプ構造1aの両側に電流ブロック層3が配設され, 化合物半導体基板1上に,少なくとも,断面が湾曲したバッファ層4,下部クラッド層6,活性層8,上部クラッド層10, コンタクト層12が積層されてなる半導体レーザ装置において,メサストライプ構造1aの両側を埋め込むことで生じた電流ブロック層3の斜面3aが, 基板1 表面における所定面指数より傾斜し, 且つ, (311)A面よりも緩斜面に形成されるように,また,窪みが出来ないように,そして活性層が発光部分で窪み状のうねりを持たないように構成する。

請求項（抜粋）：

メサストライプ構造(1a)が設けられ,所定面指数表面を有する化合物半導体基板(1) の,該メサストライプ構造(1a)の両側に電流ブロック層(3) が配設され, 該化合物半導体基板(1) 上に,少なくとも,断面が湾曲したバッファ層(4) ,下部クラッド層(6) ,活性層(8) ,上部クラッド層(10),コンタクト層(12)が積層されてなる半導体レーザ装置において,該メサストライプ構造(1a)の両側を埋め込むことで生じた該電流ブロック層(3) の斜面(3a)が該基板(1) 表面における所定面指数より傾斜し, 且つ, (311)A面よりも緩斜面に形成することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。