特許

J-GLOBAL ID：200903082931075529

白金薄膜パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 越野 圭二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274431
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111695
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 有機レジストマスクを使用できる低温で,側壁を発生しない白金薄膜の反応性イオンエッチング方法を提供する。【解決手段】 白金薄膜を,塩素ガス又は塩化ホウ素と不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとする反応性イオンエッチングにより,白金薄膜のエッチング速度が温度の上昇とともに急激に増加し始める温度,例えば220°Cより高温でエッチングする。かかる温度では,マスク側面に側壁が形成されない。また,有機レジストマスクの変形温度より低温,例えば340°C以下とすることで,有機レジストマスクを使用できる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された白金又は白金合金からなる白金薄膜上にエッチング用マスクを形成する工程と,該マスクを用いたドライエッチングにより,該白金薄膜を選択的にエッチングして白金薄膜パターンを形成する工程とを有する白金薄膜パターンの形成方法において,該ドライエッチングは,塩素ガス又は塩化ホウ素と不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして使用する反応性イオンエッチングであり,該反応性イオンエッチングの際に該基板温度を,該白金薄膜のエッチング速度が該基板温度の上昇とともに急激に増加し始める温度より高温に保持することを特徴とする白金薄膜パターンの形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/88 D ,  H01L 29/78 371