液晶表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076762
公開番号（公開出願番号）：特開平9-269503
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 TFTを用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造工程の簡素化を図る際、ゲート線あるいは補助容量配線下方に生じる寄生TFTによる画質の劣化を防止し、液晶表示装置の大容量化及び高精細化を図る。【解決手段】信号線28a、28bの配線抵抗Rs及び寄生TFT40のオン時のチャネル抵抗Rtを調整し、寄生TFT40による表面輝度傾斜を視認不能とする。補助容量配線42の電位を調整し寄生TFT44a、44bをオフ状態に保持する。補助容量配線46のパターンを調整し、寄生TFTのオフ状態におけるリーク電流を低減する。これ等により、液晶表示装置の製造工程の簡素化を図るものにおいて、大容量且つ高精細な液晶表示装置を得る。

請求項（抜粋）：

第1の基板と、この第1の基板上にマトリクス状に配列される画素電極と、前記第1の基板上に設けられ、非晶質シリコン層を挾みドレイン電極及び前記画素電極に接続されるソース電極を有し前記画素電極を駆動する複数の薄膜トランジスタと、前記ドレイン電極に画像信号を供給する信号線と、前記非晶質シリコン層及び前記信号線より上層に形成される前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記非晶質シリコン層及び前記信号線より上層に形成され前記ゲート電極に走査信号を供給するゲート線とを有するアレイ基板と、第2の基板と、この第2の基板上に形成された対向電極とを有し、前記アレイ基板に対向して配置された対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板とに挟持された、液晶分子とを備えた液晶表示装置において、前記信号線の配線抵抗をRs、隣接する前記信号線間の最大電位差をVs、前記ゲート線をゲート電極とし隣接する前記信号線をソース電極及びドレイン電極とする寄生薄膜トランジスタのオン時のチャネル抵抗をRtとした時、Rs×Vs/(Rt+2×Rs)≦0.1[V]である事を特徴とする液晶表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786

FI (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 C

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