特許

J-GLOBAL ID：200903082936658662

圧力接触が可能なパワー半導体モジュール

発明者： シュナイデル ダニエル ,  トルーセル ドミニク
出願人/特許権者： アーベーベー シュヴァイツ アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-527796
公開番号（公開出願番号）：特表2005-502213
出願日： 2002年09月09日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

ベースプレート(1)とカバープレート(2)とを備えた、圧力接触が可能なパワー半導体モジュールが提供される。このパワー半導体モジュールは、第1主要端子(31)と、ベースプレート(1)と導電接続した第2主要端子(32)とを有する少なくとも1つの半導体デバイス(3)と、更に、第1主要端子(31)とカバープレート(2)との間に配置される少なくとも1つのバネ要素(4)とを備える。第1主要端子(31)とカバープレート(2)との間の導電接続は、バネ要素(4)の内側区域を通って導かれる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ベースプレート(1)と、 カバープレート(2)と、 第1主要端子(31)と、前記ベースプレート(1)と導電接続した第2主要端子(32)とを有する少なくとも1つの半導体デバイス(3)と、 前記第1主要端子(31)と前記カバープレート(2)との間に配置される少なくとも1つのバネ要素(4)と、 を備える圧力接触が可能なパワー半導体モジュールであって、 前記第1主要端子(31)と前記カバープレート(2)との間の導電接続が、前記バネ要素(4)の内側区域を通って導かれることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L23/48 ,  H01L23/34

FI (2件)：

H01L23/48 G ,  H01L23/34 C

Fターム (3件)：

5F036AA01 ,  5F036BC09 ,  5F036BE06